WATANABE LABORATORY

「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回） （1月29日～31日、東レ総合研修センター）にて、Chanthaphan研究員（学振特別研究員）がSiC-MOSデバイスについて、天本君（M1）がGeSnのフォトルミネッセンス測定について研究成果発表を行いました。 また、当研究室にて博士号を取得されて、現在はアメリカでご活躍の安藤さんは、High-kゲートスタックについて招待講演を行われました。 新幹線の車窓から見えた雪の富士山

「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」第19回研究会 （1月23日～25日、ニューウェルシティ湯河原）にて、田中君（B4）がHigh-k/Geゲートスタックについて、岡君（M1）がGeコンタクト形成技術について、梶村さん（M1）が液相成長GOI構造の光学特性評価について研究成果を発表しました。 ３名ともよく頑張りました！

去る1月25日～1月26日に湯河原で開催された「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」（第18回）にて、松江君（M1）が若手奨励賞（プロセス部門）である安田賞を受賞しました！おめでとうございます！  研究室としては、6年連続の受賞！ おまけ 写真は某先生が熱海で食べた三色丼（生シラス・ゆでシラス・桜エビ）です。 透き通ったお魚がきれいです。

本研究室の鈴木さんが 「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」（第17回研究会）で、安田賞を受賞しました。これで５年連続の受賞です。ありがとうございます。 ヤ顔がなんとも… 鈴木雄一朗　       「横方向液相エピタキシャル成長により作製した単結晶GOI構造の電気特性評価」   おめでとうございました。

前日（19日）たまたま同じ新幹線だった 名古屋大学・財満研究室 のスタッフ・学生さんと三島駅周辺のお店にうなぎを食べに行きました。美味しかった！しかし三島駅の北側と南側の隔離具合が半端ない（入場券を買って改札を通らないと、すごい遠回りすることになる）。ワザとやってるとしか思えないけど、意図がわからない。 産総研・昌原さんのショートコース後、 東京大学・鳥海研究室 の方々4名と渡部研4名（渡部、細井、力石、箕浦）で2時頃までワイワイやりました（鈴木君は翌朝発表があるため不参加）。鳥海研の学生は実に濃い！あの濃さが欲しいようなイヤなような・・・（ 笑 ） 初日の午前中、鈴木君の発表はいい出来だったと思います。いつも準備早いもんなー。夕方からは力石君がポスター発表。どうだったのか聞くの忘れてた。 懇親会後のナイトセッションでは、半導体業界の将来、3次元デバイスの展開、研究者（学生）のキャリアパスの3部屋が設置 （うろ覚えですが ）され、12時の閉室まで熱い話があった模様です。部屋によってはその後さらに・・・？出遅れた私はどこの部屋にも入れなかったので、阪大のO先生と広島大のO君の3名で別室で将来について語りあいました。

折角なので、 ゲートスタック研究会 での当研究室からの発表について簡単にご紹介します。 志村考功（准教授）：「 ゲルマニウム熱酸化膜中の残留秩序構造 」 鈴木雄一朗（M1）：「横方向液相エピタキシャル成長により作製した単結晶GOI構造の電気特性評価」 力石薫介（M1）：「TiN電極の減圧表面酸化処理によるpoly-Si/TiN/HfSiO/SiO2ゲートスタックの実効仕事関数制御」 以上3件プラス、 お隣の研究室 の有馬先生が共同研究の成果を発表されます。 有馬健太（准教授）：「 湿度制御雰囲気下でのin-situ XPSによるGeO2表面における吸着水形成過程の観測 」 学生には厳しい質問が飛ぶことを期待しています。