第20回ゲートスタック研究会

「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回) (1月29日~31日、東レ総合研修センター)にて、Chanthaphan研究員(学振特別研究員)がSiC-MOSデバイスについて、天本君(M1)がGeSnのフォトルミネッセンス測定について研究成果発表を行いました。


また、当研究室にて博士号を取得されて、現在はアメリカでご活躍の安藤さんは、High-kゲートスタックについて招待講演を行われました。

新幹線の車窓から見えた雪の富士山

このブログの人気の投稿

謝恩会 (3/5)

新歓、院試激励会!