SISC 2012

米国サンディエゴ (12月6-8日) で開催された国際会議 The 43rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) にて、細井先生がSiCデバイスについて、力石君(M2)がMetal/High-kゲートスタックについて、箕浦君(M1)がGe MOSトランジスタについてそれぞれ研究成果を発表しました。

力石君も箕浦君も初めての外国出張で緊張したことと思いますが、落ち着いて発表できて良かったと思います。会場では、当研究室のOBである有村さんにもお会いできました。偶然にも3人がプログラムに並ぶ形でプレゼン。今回スケジュール調整がかなわず参加できなかったボスは、残念がっていました。


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