IEDM 2012
米国サンフランシスコで開催された国際会議 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) にて、細井助教がSiCデバイスについての研究成果を発表しました。（12月10日 米国太平洋時間）
本発表は、細井助教、渡部教授、京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授、ローム株式会社、東京エレクトロン株式会社によるSiC MOSFETに関する共同研究の成果であり、メディアでも紹介されました。 詳しくは、研究室ウェブサイトをご覧ください。
T. Hosoi, S. Azumo, Y. Kashiwagi, S. Hosaka, R. Nakamura, S. Mitani, Y. Nakano, H. Asahara, T. Nakamura, T. Kimoto, T. Shimura, H. Watanabe,
"Performance and Reliability Improvement in SiC Power MOSFETs by Implementing AlON High-k Gate Dielectrics,"
2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 7.4,
(San Francisco, CA, USA, December 10-12, 2012).
本発表は、細井助教、渡部教授、京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授、ローム株式会社、東京エレクトロン株式会社によるSiC MOSFETに関する共同研究の成果であり、メディアでも紹介されました。 詳しくは、研究室ウェブサイトをご覧ください。
T. Hosoi, S. Azumo, Y. Kashiwagi, S. Hosaka, R. Nakamura, S. Mitani, Y. Nakano, H. Asahara, T. Nakamura, T. Kimoto, T. Shimura, H. Watanabe,
"Performance and Reliability Improvement in SiC Power MOSFETs by Implementing AlON High-k Gate Dielectrics,"
2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 7.4,
(San Francisco, CA, USA, December 10-12, 2012).
