WATANABE LABORATORY

12月にサンフランシスコで開催される半導体デバイス分野最高峰の国際会議 IEDM に、GeSnフォトダイオードに関する岡君（D3）の論文が採択されました（広島大学・黒木先生との共同研究の成果です）。 Title: Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser- induced Liquid-phase Crystallization for Monolithically-integrated NIR Imager Chip 昨年のIEDM@サンフランシスコ、6月のVLSIシンポジウム@京都と3連続での採択で、岡君もすっかりこの業界の有名人（？）ですね。 今回は特に光栄なことに Highlights の1つとして選んでもらっています。 ご興味のある方は是非聞きに来て下さい。 また、GaNパワーデバイスに関するPanasonicとの共同研究の成果も採択されていますので、そちらも是非。 IEDM直後にサンディエゴで開催される SISC では、SiCパワーデバイス関連の成果2件、GaNパワーデバイス関連の成果1件の発表を予定しています。

こちらに赴任してから毎年恒例のように参加しているSISCも2015年で9回目です。来年は節目の10回目。IEDMが最後のワシントン開催ということで、アーリントンのSISCもこれで最後です。 今回はM2淺原君も発表しました。 発表中の淺原君。なんとか発表は完走！ 淺原君は修論があるためIEDMに参加せずに帰国するので、その見送りついでに航空宇宙博物館別館にも立ち寄りました（2013年に松江君が行ったのを見て行きたかったのです）。 ステルス偵察機ブラックバード、音速旅客機コンコルドから、スペースシャトルまで。。。圧倒されました。 そしてこれがあの有名なB29です。日本人的には複雑な気持ちになる機体。

米国サンフランシスコで開催された国際会議 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) にて、細井助教がSiCデバイスについての研究成果を発表しました。（12月10日 米国太平洋時間） 本発表は、細井助教、渡部教授、京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授、ローム株式会社、東京エレクトロン株式会社によるSiC MOSFETに関する共同研究の成果であり、メディアでも紹介されました。　詳しくは、 研究室ウェブサイト をご覧ください。 T. Hosoi, S. Azumo, Y. Kashiwagi, S. Hosaka, R. Nakamura, S. Mitani, Y. Nakano, H. Asahara, T. Nakamura, T. Kimoto, T. Shimura, H. Watanabe, "Performance and Reliability Improvement in SiC Power MOSFETs by Implementing AlON High-k Gate Dielectrics," 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 7.4, (San Francisco, CA, USA, December 10-12, 2012).