WATANABE LABORATORY

年末に当研究室の卒業生の大嶽さんが遊びに来てくださいました。 この日は朝からとっても冷え込んでいて私は厚手のコートを着ているにも関わらず肩をすぼめてエレベーターを待っていましたら、「おはようございます。お久しぶりです。」と声を掛けてくれた姿勢の良い方は、大嶽さんでした。さすが元体操部！ 研究室では、数ヶ月に及ぶ研修を経ての現在のお仕事のことから、ビジネスパーソンに不可欠な話す力や論理的思考力を学生時代から鍛えることの大切さなど、社会人になられて気付かれたことや意識の変化に至るまで色々なことをお話してくださり、こちらも大きな刺激を受けました。 お仕事がお忙しいと思いますが、お近くにいらっしゃるということですので、またいつでも研究室へ遊びにきてください。

博士論文公聴会が執り行われ、橋元君（D3）が発表しました。トップバッターでしたがなかなか良かったです。お疲れさまでした。 2月には修士論文発表会、3月には卒業論文発表会が開催されます。後輩の皆さんも頑張って行きましょう！

精密科学コース・先端機器システム領域（森田研究室） の有馬先生との共同研究で、箕浦君 （M1）がサンフランシスコのU. C. Berkeleyの放射光施設 Advanced Light Source （ALS） で実験してきました。 昨年は、秀島君 （現M2） が同様の実験に参加したので、秀島君から話は聞いていたと思いますが、 やっぱり激烈 に寝不足になったのでしょうか。。。 でも何だか楽しそうな写真もみーっけ！

国際シンポジウム 8th Handai Nanoscence and Nanotechnology International Symposium （12月10-11日 大阪大学銀杏会館）にて、秀島君（M2）がGe MOSトランジスタについて、松江君（M1）が急速加熱液相エピタキシャル成長についてポスター発表を行いました。

米国サンフランシスコで開催された国際会議 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) にて、細井助教がSiCデバイスについての研究成果を発表しました。（12月10日 米国太平洋時間） 本発表は、細井助教、渡部教授、京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授、ローム株式会社、東京エレクトロン株式会社によるSiC MOSFETに関する共同研究の成果であり、メディアでも紹介されました。　詳しくは、 研究室ウェブサイト をご覧ください。 T. Hosoi, S. Azumo, Y. Kashiwagi, S. Hosaka, R. Nakamura, S. Mitani, Y. Nakano, H. Asahara, T. Nakamura, T. Kimoto, T. Shimura, H. Watanabe, "Performance and Reliability Improvement in SiC Power MOSFETs by Implementing AlON High-k Gate Dielectrics," 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 7.4, (San Francisco, CA, USA, December 10-12, 2012).

米国サンディエゴ　(12月6-8日) で開催された国際会議 The 43rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) にて、細井先生がSiCデバイスについて、力石君（M2）がMetal/High-kゲートスタックについて、箕浦君（M1）がGe MOSトランジスタについてそれぞれ研究成果を発表しました。 力石君も箕浦君も初めての外国出張で緊張したことと思いますが、落ち着いて発表できて良かったと思います。会場では、当研究室のOBである有村さんにもお会いできました。偶然にも３人がプログラムに並ぶ形でプレゼン。今回スケジュール調整がかなわず参加できなかったボスは、残念がっていました。